氧化镓异质结二极管氢气传感器实现600°C下1800小时长期运行，揭示两种失效机制
美国国家可再生能源实验室与科罗拉多矿业学院团队在 arXiv 发文，系统评估 Ga2O3 基高温氢气传感器的长期稳定性：Pt 肖特基与 Cr2O3/Ga2O3 p-n 二极管在600°C、500-1500ppm 氢气循环暴露下运行800-1800小时仍能分辨氢浓度；热电子发射建模证实质子诱导偶极降低界面势垒，TEM 揭示 Pt 颗粒长大与微孔形成是主要退化机制。
氧化镓
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氧化镓异质外延出现无位错塑性弛豫：单平面相变机制获揭示
意大利米兰比可卡大学L. Miglio团队联合中芬学者通过DFT、连续成核理论与分子动力学模拟，揭示β-Ga2O3在c面蓝宝石上外延生长的塑性弛豫机制：弛豫通过湿润层与β相共享氧平面下方Ga原子重排实现，单个平面内完成局部α到β弛豫相变，从而解释了实验中β膜完全弛豫却观察不到位错的反常现象。
arXiv论文：增强型垂直Ga2O3功率MOSFET新进展——MOCVD再生长n+接触层免注入工艺实现980V击穿电压
8月19日提交至arXiv的论文演示了一种基于选择性MOCVD再生长Si掺杂n+层的无注入欧姆接触技术，用于增强型垂直β-Ga2O3 U槽MOSFET。器件阈值电压约5V，开关比1.15×10^6，比接触电阻率低至2.65×10^-7 Ω·cm²，关态击穿电压920-980V，多指器件电流可扩展至0.25A。