Resonac将在日本山口县德山工厂新建高纯度氟化氢气体产线，2026年内投产

B910化工消息：6月25日消息，日本半导体材料巨头Resonac（Resonac Holdings旗下，社长高桥秀仁）宣布将在山口县周南市（Shunan City）的德山工厂（Tokuyama Plant）新建高纯度氟化氢（HF）气体产线，2026年内投产，配合现有神奈川县川崎市（Kawasaki City）的川崎工厂，在日本本土构建双基地生产体系，以应对先进半导体制造日益增长的电子特气需求。

氟化氢气体是半导体前道工艺中电路成型的关键刻蚀材料，主要用于去除氧化膜及精细图形加工。随着数据中心和AI相关应用的快速增长，半导体器件正加速向三维（3D）高密度集成结构演进——这类结构要求在多层堆叠中形成深而精细的通孔，对刻蚀精度提出极高要求。低温刻蚀（cryogenic etching）因此成为关键技术：在极低温条件下进行刻蚀可同时保护侧壁，实现比传统工艺更深、更光滑、更精细的微结构加工，而高纯度HF气体正是其中不可或缺的材料。

Resonac此次将德山工厂纳入HF气体供应体系，主要出于稳定供应的考量。电子特气在晶圆厂前端工艺中属刚需消耗品，且对纯度和批次一致性要求极高，单一工厂的供应风险难以满足晶圆厂的供应链安全标准。双基地布局既可分摊自然灾害、设备检修等单点中断风险，也能在产能爬坡期灵活响应大客户订单。需要说明的是，Resonac未披露具体新增产能规模和投资金额。

从行业格局看，半导体用高纯电子特气市场长期由日本企业主导，Stella Chemifa、大金（Daikin）、中央硝子（Central Glass）等在含氟电子气体领域占据重要份额，Resonac（由原昭和电工与原Hitachi Chemical整合）则在电子材料板块布局广泛，覆盖刻蚀与薄膜沉积用气体的多元产品线。此次扩产正值全球半导体设备支出回暖、3D NAND和高带宽存储器（HBM）产能扩张的节点——这两类存储器对深硅刻蚀和高深宽比结构的依赖度显著高于传统逻辑芯片，直接拉动高纯HF气体的需求曲线。

值得关注的是，低温刻蚀技术的渗透正重塑电子特气的品质门槛。相比常温刻蚀，低温工艺对气体中水分、颗粒物和金属杂质的容忍度更低，纯度等级要求向ppt（万亿分之一）级别演进。Resonac明确表示，该产品将支持先进半导体工艺所需的精细且较深的电路结构成型，预计未来需求将持续增长。此次双基地体系的建立，是日本电子材料厂商在AI算力浪潮下锁定长期需求、巩固其在全球半导体材料供应链中技术壁垒的代表性动作。 （来源：Resonac）