8月18日消息（arXiv:2608.18059），密歇根大学Sangyong Lee、Anton V. Ievlev、Dongjae Shin、Jingxian Li与Yiyang Li团队的论文，报道了在相分离非晶氧化钽阻变存储器中实现长数据保持的成果，突破了阻变存储器（ReRAM）领域长期存在的核心权衡。

ReRAM是最有前景的非易失性存储技术之一，但主流器件存在两难：成丝型（filamentary）ReRAM通过导电细丝的形成与断裂存储数据，保持时间长，但均匀性差、切换电流高；非成丝型（nonfilamentary）ReRAM呈面积依赖的低电流切换，均匀性好，但数据保持时间普遍较差。此前没有任何双端器件能同时兼顾两者。

该团队展示了Ta₂O₅/TaOₓ双端阻变存储单元：电学测量与成分深度剖析表明，其电阻切换不局限于单一细丝，而是在整个切换区域内均匀发生——这得益于相分离的非晶氧化钽层形成的离子与电子混合导电路径。尽管为非成丝型切换，器件在190°C高温下数据保持超过22小时，与最好的成丝型器件相当。

科学意义：非均匀成核理论通常预测非晶氧化物中氧空位会聚集形成细丝，而该工作表明通过调控相分离结构可引导均匀切换并保持稳定，为理解阻变机制提供了新视角。应用前景上，低电流、均匀、长保持的ReRAM对存内计算与神经形态硬件尤为关键——大规模交叉阵列要求器件间一致性与低操作功耗，此类相分离工程策略可直接迁移到其他氧化物体系（如HfO₂、TiO₂），为后摩尔时代存储与计算融合器件提供材料学方案。 （来源：arXiv）