相分离非晶氧化钽阻变存储器：非成丝型切换却实现22小时@190°C数据保持
密歇根大学Yiyang Li团队在arXiv发表研究，报道了Ta₂O₅/TaOₓ双端阻变存储器：通过相分离非晶氧化钽实现面型（非成丝型）电阻切换，在190°C下数据保持超过22小时，达到最佳成丝型器件水平，首次在双端器件中同时兼得低电流面积型切换与长保持特性，突破ReRAM的核心权衡。
非易失性存储
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中国科大团队基于单离子传输实现20皮秒非易失性存储器
中国科学技术大学研究团队提出基于单离子传输机制的新型存储器方案，利用单层六方氮化硼中的单原子空位缺陷实现电阻开关。实验制备的单离子存储器件实现20皮秒的超快开关速度和310阿焦耳每比特的超低能耗，有望实现业界长期追求的兼具速度、密度和非易失性的统一存储器。