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相分离非晶氧化钽阻变存储器：非成丝型切换却实现22小时@190°C数据保持

密歇根大学Yiyang Li团队在arXiv发表研究，报道了Ta₂O₅/TaOₓ双端阻变存储器：通过相分离非晶氧化钽实现面型（非成丝型）电阻切换，在190°C下数据保持超过22小时，达到最佳成丝型器件水平，首次在双端器件中同时兼得低电流面积型切换与长保持特性，突破ReRAM的核心权衡。

B910化工 8月19日 23:55 6