三星SK海力士在Hot Chips 2026正面交锋：PIM存储与HBM升级路线之争
8月26日消息，在斯坦福大学举行的Hot Chips 2026大会上，三星电子首次公开商用PIM产品LPDDR5X-PIM的详细规格——片内直接计算使端侧AI数据处理速度翻倍、每秒token处理量提升3倍以上，剑指HBM功耗与成本瓶颈；SK海力士则押注混合键合与iHBM先进散热，延续HBM升级路线。AI存储市场正从"训练"转向"推理+端侧AI"，两条技术路线的分野将深刻影响下一代存储格局。
存内计算
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相分离非晶氧化钽阻变存储器：非成丝型切换却实现22小时@190°C数据保持
密歇根大学Yiyang Li团队在arXiv发表研究，报道了Ta₂O₅/TaOₓ双端阻变存储器：通过相分离非晶氧化钽实现面型（非成丝型）电阻切换，在190°C下数据保持超过22小时，达到最佳成丝型器件水平，首次在双端器件中同时兼得低电流面积型切换与长保持特性，突破ReRAM的核心权衡。