"光子乐高"登上Nature:单晶纳米膜范德华集成解锁高性能光子异质集成
华盛顿大学圣路易斯、EPFL与MIT团队在Nature发表研究,将铁酸铋、砷化镓、钴铁氧体等单晶纳米膜从母衬底剥离后以范德华力堆叠到硅与氮化硅光子芯片上,实现0.29V·cm半波电压、约950pm/V电光系数(超铌酸锂30倍)与33800度/厘米法拉第旋转等指标。
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华盛顿大学圣路易斯、EPFL与MIT团队在Nature发表研究,将铁酸铋、砷化镓、钴铁氧体等单晶纳米膜从母衬底剥离后以范德华力堆叠到硅与氮化硅光子芯片上,实现0.29V·cm半波电压、约950pm/V电光系数(超铌酸锂30倍)与33800度/厘米法拉第旋转等指标。