加拿大INRS等提出路易斯酸降解辅助掺杂策略,有机半导体空穴密度提升最高两个数量级
加拿大INRS、Concordia大学与York大学研究者在《自然·材料》提出降解辅助掺杂机制:p型掺杂剂经电子转移后通过自由基阴离子发生化学降解,使掺杂反应持续进行,有机半导体空穴密度较常规掺杂提升最高两个数量级,并以经典路易斯酸B(C6F5)3为范例给出理论框架。
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加拿大INRS、Concordia大学与York大学研究者在《自然·材料》提出降解辅助掺杂机制:p型掺杂剂经电子转移后通过自由基阴离子发生化学降解,使掺杂反应持续进行,有机半导体空穴密度较常规掺杂提升最高两个数量级,并以经典路易斯酸B(C6F5)3为范例给出理论框架。
威斯康星大学麦迪逊分校M.D. Ediger团队在arXiv发表研究,通过控制沉积温度调控有机半导体Alq3的物理气相沉积(PVD)玻璃结晶抗性,使其提升至少10倍。该策略为有机半导体器件的长期稳定性提供了新途径。
九州大学Yoichi Sasaki副教授与Nobuo Kimizuka名誉教授团队在《Nature Communications》发表论文,报道基于DHI有机半导体的固态分子材料,可在自然阳光下将可见光转化为高能紫外光,光子上转换效率达1.9%,固态荧光量子产率超60%。该突破克服了液态体系需有毒溶剂的长期难题,为太阳能驱动空气净化、光催化、3D打印固化开辟新路径。