场效应晶体管

200mm晶圆级单片3D集成原子层沉积氧化物半导体器件实现超10万器件制备

研究团队展示了在200mm硅晶圆上实现三层原子层沉积(ALD)氧化铟(InOx)基器件的单片3D集成，包括铁电、增强型和耗尽型场效应晶体管，制备器件超10万个。该工作为突破传统硅CMOS微缩极限提供了大规模晶圆级验证，对下一代低功耗电子器件具有重要意义。

B910化工 8月12日 06:09 270