200mm晶圆级单片3D集成原子层沉积氧化物半导体器件实现超10万器件制备
研究团队展示了在200mm硅晶圆上实现三层原子层沉积(ALD)氧化铟(InOx)基器件的单片3D集成，包括铁电、增强型和耗尽型场效应晶体管，制备器件超10万个。该工作为突破传统硅CMOS微缩极限提供了大规模晶圆级验证，对下一代低功耗电子器件具有重要意义。
原子层沉积
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三星SDI投资美国Forge Nano约2000万美元,以代工模式获取美国本土电池产能
三星SDI宣布向美国原子层沉积(ALD)技术企业Forge Nano投资约2000万美元,双方建立战略合作。Forge Nano正在北卡罗来纳州建设年产能3GWh的超级工厂,总投资3亿至3.3亿美元,其中DOE补贴1亿美元。三星SDI自2028年起将采购该厂电芯,以轻资产方式快速获取美国本土电池供应,切入航空航天和国防等战略产业。