印度理工学院团队开发MoWS₂合金光电突触器件:低功耗可重构,助力模式识别与图像滤波
IIT Bhbaneswar等机构研究者在arXiv发表研究,用微腔化学气相沉积(CVD)法生长均匀大面积MoWS₂单层与少层合金薄膜,基于生长诱导的本征硫空位构建光电突触器件,成功模拟兴奋性突触后电流、脉冲对易化等生物突触特性,功耗低且可重构,适用于神经形态视觉系统。
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IIT Bhbaneswar等机构研究者在arXiv发表研究,用微腔化学气相沉积(CVD)法生长均匀大面积MoWS₂单层与少层合金薄膜,基于生长诱导的本征硫空位构建光电突触器件,成功模拟兴奋性突触后电流、脉冲对易化等生物突触特性,功耗低且可重构,适用于神经形态视觉系统。