印度理工学院团队开发MoWS₂合金光电突触器件：低功耗可重构，助力模式识别与图像滤波
IIT Bhbaneswar等机构研究者在arXiv发表研究，用微腔化学气相沉积（CVD）法生长均匀大面积MoWS₂单层与少层合金薄膜，基于生长诱导的本征硫空位构建光电突触器件，成功模拟兴奋性突触后电流、脉冲对易化等生物突触特性，功耗低且可重构，适用于神经形态视觉系统。
CVD
共 3 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
研究团队开发两步CVD法合成Ir(111)/硼烯/六方氮化硼垂直异质结构
德国研究团队利用硼烷单一前驱体，通过两步超高真空化学气相沉积法，在Ir(111)基底上成功合成硼烯与六方氮化硼的垂直异质结构，晶粒达微米级，为二维材料规模化制备提供新路径。
硼-氢-磷三元素共掺杂突破金刚石N型半导体长期难题
研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。