8月28日消息，SK海力士8月27日（当地时间周四）在美国印第安纳州西拉法叶市普渡大学正式举行先进芯片封装项目动工仪式，该基地将生产美国本土制造的首批高带宽内存（HBM）。这是SK海力士自2024年4月宣布该投资以来，时隔两年多正式开工建设。

根据规划，工厂预计2028年10月完成洁净室建设，2029年第三季度开始量产。投产后，该厂将接收在韩国生产的DRAM晶圆，在美国本地进行堆叠封装，产出用于搭配英伟达AI加速器等处理器的HBM高带宽内存。SK海力士CEO郭鲁正表示，该厂年DRAM晶圆处理能力达数十万片，"我们将在印第安纳建设美国首个HBM先进封装工厂，为客户提供全新的大陆制造HBM来源，强化美国半导体供应链"。

SK海力士还与普渡大学签署合作备忘录，扩大下一代HBM研发与测试合作，并利用该校工程人才资源，工厂即建在普渡大学所有的土地上。SK Inc.副董事长兼SK美洲CEO俞祯濬表示，SK集团在美国半导体、能源和先进技术领域已建立强大布局，到2030年集团在美投资和资产预计超过450亿美元，这些能力将汇聚助力构建美国下一代AI基础设施。此次动工正值特朗普政府推动芯片制造商扩大美国本土生产之际，美国商务部长卢特尼克上月刚呼吁扩大本土存储芯片制造；SK方面还在评估在印第安纳之外的进一步美国扩张计划。 （来源：The Korea Herald）