氮化硅波导

氘代氮化硅波导实现片上宽带光源：8英寸晶圆低温工艺兼容CMOS

新加坡科技设计大学与A*STAR团队将氢置换为重同位素氘，制成低损耗氮化硅（SiN）光波导，可从红外脉冲产生宽带光。该器件采用低温工艺在8英寸晶圆上制造，验证了大规模制造及与CMOS半导体工艺集成的潜力，为光子芯片的多波长光源难题提供解法。

B910化工 8月25日 06:34 15