氘代氮化硅波导实现片上宽带光源：8英寸晶圆低温工艺兼容CMOS
新加坡科技设计大学与A*STAR团队将氢置换为重同位素氘，制成低损耗氮化硅（SiN）光波导，可从红外脉冲产生宽带光。该器件采用低温工艺在8英寸晶圆上制造，验证了大规模制造及与CMOS半导体工艺集成的潜力，为光子芯片的多波长光源难题提供解法。
CMOS
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BEOL兼容低温金刚石薄膜实现高热导率散热解决方案
研究团队报告在硅基底上、衬底温度低于400°C条件下直接生长的多晶金刚石薄膜，厚度760-1000nm，展现了优异的热导率性能，解决了半导体后端工艺（BEOL）热管理的电绝缘散热介质需求。