arXiv论文:SnS纳米薄膜热电性能研究揭示厚度-温度耦合规律
科研团队在arXiv提交研究(2609.08734),系统测量82-813nm四种厚度SnS纳米薄膜在宽温域内的热电性能,发现厚度对输运性质的影响与温度强耦合。SnS作为环境友好、储量丰富的窄带隙半导体,是中温热电转换的候选材料,低维化是突破其体材性能限制的关键策略。
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科研团队在arXiv提交研究(2609.08734),系统测量82-813nm四种厚度SnS纳米薄膜在宽温域内的热电性能,发现厚度对输运性质的影响与温度强耦合。SnS作为环境友好、储量丰富的窄带隙半导体,是中温热电转换的候选材料,低维化是突破其体材性能限制的关键策略。