日本埼玉大学提出热电器件统一评测框架：性能不止取决于材料本身
埼玉大学长谷川裕裕教授在《应用物理杂志》发表研究，基于时间域阻抗谱（TDIS）建立将热电材料、电极、引线和热泄漏纳入同一描述的统一理论框架，发现瞬态响应遵循普适标度律，为热电器件系统级设计与废热回收应用提供了新的理论基矗
热电材料
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arXiv论文：SnS纳米薄膜热电性能研究揭示厚度-温度耦合规律
科研团队在arXiv提交研究（2609.08734），系统测量82-813nm四种厚度SnS纳米薄膜在宽温域内的热电性能，发现厚度对输运性质的影响与温度强耦合。SnS作为环境友好、储量丰富的窄带隙半导体，是中温热电转换的候选材料，低维化是突破其体材性能限制的关键策略。
arXiv论文：金属-半导体渗透复合热电材料 功率因子在渗流阈值附近可调谐
乌克兰与俄罗斯研究团队分析含随机金属夹杂的半导体基复合材料的热电响应，发现功率因子与热电优值在渗流阈值附近对夹杂浓度与排布高度敏感，并识别出增强功率因子的最优参数区间，论文9月4日提交。
热电偶臂配对新判据：北工大团队证明共模汤姆逊热抵消的精确分支传输条件
北京工业大学李志元（Li-Dong Zhao）团队等建立热电偶p/n臂配对的精确理论：证明共模汤姆逊热在连续参数下完全抵消当且仅当p、n分支取向测度相等，为热电器件材料配对与测试提供新判据。
双钙钛矿卤化物A2AgIrCl6被预测为高性能n型热电材料
印度研究者通过第一性原理筛选铱基双钙钛矿Cs2AgIrCl6与Rb2AgIrCl6的热电潜力：两者满足立方弹性稳定性判据且无虚频声子，HSE06+自旋轨道耦合给出1.6-1.64eV直接带隙，X谷轻电子有效质量0.43-0.57m0结合强声子散射产生超低晶格热导率，预测n型无量纲热电优值zT显著，为无铅卤化物热电提供新候选。
二维CrSi2N4单层材料研究：应变调控可显著提升析氢催化性能
研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现，二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下，析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV，同时该材料还展现出优异的热电性能（3.5 mW/mK2功率因子）和光电特性。
Ba₁₋ₓSrₓTiO₃组分调控实现低温余热高效收集，1万次循环稳定运行
研究团队在Ba₁₋ₓSrₓTiO₃中发现过渡区组分Sr₀.₁₉实现最优热电能量收集性能，在64°C下达到1.6 mJ/cm³能量密度和5.5%转化效率，无外加偏置电场下稳定运行超过1万次循环。