arXiv论文:SnS纳米薄膜热电性能研究揭示厚度-温度耦合规律
科研团队在arXiv提交研究(2609.08734),系统测量82-813nm四种厚度SnS纳米薄膜在宽温域内的热电性能,发现厚度对输运性质的影响与温度强耦合。SnS作为环境友好、储量丰富的窄带隙半导体,是中温热电转换的候选材料,低维化是突破其体材性能限制的关键策略。
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科研团队在arXiv提交研究(2609.08734),系统测量82-813nm四种厚度SnS纳米薄膜在宽温域内的热电性能,发现厚度对输运性质的影响与温度强耦合。SnS作为环境友好、储量丰富的窄带隙半导体,是中温热电转换的候选材料,低维化是突破其体材性能限制的关键策略。
乌克兰与俄罗斯研究团队分析含随机金属夹杂的半导体基复合材料的热电响应,发现功率因子与热电优值在渗流阈值附近对夹杂浓度与排布高度敏感,并识别出增强功率因子的最优参数区间,论文9月4日提交。
研究团队在Ba₁₋ₓSrₓTiO₃中发现过渡区组分Sr₀.₁₉实现最优热电能量收集性能,在64°C下达到1.6 mJ/cm³能量密度和5.5%转化效率,无外加偏置电场下稳定运行超过1万次循环。