劳伦斯伯克利国家实验室：EUV光刻技术可打印比头发细五万倍的微观图形
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）X射线光学中心（CXRO）发文回顾EUV光刻技术的研发历程：该技术可打印比人发细五万倍的电路图形，使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来，EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑，CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
摩尔定律
共 1 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
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美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）X射线光学中心（CXRO）发文回顾EUV光刻技术的研发历程：该技术可打印比人发细五万倍的电路图形，使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来，EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑，CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
