劳伦斯伯克利国家实验室:EUV光刻技术可打印比头发细五万倍的微观图形
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室(Berkeley Lab)X射线光学中心(CXRO)发文回顾EUV光刻技术的研发历程:该技术可打印比人发细五万倍的电路图形,使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来,EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑,CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
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美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室(Berkeley Lab)X射线光学中心(CXRO)发文回顾EUV光刻技术的研发历程:该技术可打印比人发细五万倍的电路图形,使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来,EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑,CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
塔塔电子与住友化学签署谅解备忘录,住友将向塔塔古吉拉特邦Dholera晶圆厂供应光刻胶、功能性化学品及硫酸、异丙醇等高纯化学品,双方还将探索这些半导体材料在印度本土化生产,支撑印度半导体制造战略。
住友化学9月19日宣布与塔塔电子签署谅解备忘录,探讨在印度共建半导体材料供应链,包括可能在当地设立半导体化学品工厂。塔塔电子正建设印度首座前道晶圆厂,住友化学拟以其超高纯化学品技术切入印度半导体生态建设。
东京应化(TOK)9月15日宣布其韩国子公司TOK Advanced Materials位于京畿道平泽的新厂竣工,一期投资约120亿日元建设高纯化学品厂房,为集团在韩首个高纯化学生产基地,2027年上半年投运,就近供应韩国尖端半导体制造客户。
王子控股与比利时imec合作,在High-NA(NA 0.55)EUV光刻EXE:5000装置上用木质生物基光刻胶确认了A14节点适用的10nm线宽与16nm孔径图案,全程不含PFAS。成果将于9月8-11日SPIE会议发表,公司目标2028年实现该材料事业化。
ADEKA宣布在千叶工厂(袖浦市)既有厂房内新增半导体光刻胶用光酸发生剂(PAG)产线,投资约10亿日元,产能提升至当前约2倍,2027年1月开工、2028年9月商业运行。该产品面向EUV及High-NA EUV先进光刻工艺,公司将供应能力提升计划提前两年落地,配合2026年7月投运的半导体创新中心加速下一代聚合物键合PAG开发。
ADEKA宣布在千叶工厂(袖浦市)现有厂房内增设新产线,将先进光刻胶用光酸产生剂(PAG)产能提升至约2倍,计划2027年1月开工、2028年2月完工、2028年9月投入商业化运营。EUV光刻等先进制程拉动高端光刻胶材料需求,公司援引2026年约1.5万亿美元的半导体市场规模预期作为扩产依据。