10月1日消息，美国能源部（DOE）劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）发文阐述极紫外（EUV）光刻技术的科学基础与产业意义。

EUV光刻机的工作方式类似一台极其精密的「复印机」：以极高能量的极紫外光替代可见光进行曝光，可打印出比人类头发细约五万倍的电路图形，再将图形转印到硅晶圆上完成芯片制造。借助该技术，芯片制造商已能在指甲盖大小的芯片上集成超过1000亿个晶体管。

技术脉络上，Berkeley Lab的X射线光学中心（CXRO）自1990年代末起率先探索以极紫外光替代可见光的光刻方案，2001年起与半导体产业联盟SEMATECH建立合作，20多年来与产业界并肩攻克了光源、光学元件与检测等一系列基础难题。EUV光刻于2019年实现商业化。EUV Tech Inc.首席执行官、CXRO前主任Patrick Naulleau直言：「如果没有EUV光刻，摩尔定律很可能在2019年就终结了。」

对化工与材料产业而言，EUV光刻的持续演进意味着光刻胶、超纯电子化学品、光学镀膜材料等上游供应链的持续升级需求：每一代波长的缩短，都要求光刻胶在更薄膜厚下实现更高的灵敏度与线边缘粗糙度控制，也推动抗反射涂层、显影液等配套化学品迭代。Berkeley Lab的Advanced Light Source等大科学装置仍为下一代High-NA EUV提供着计量与检测支撑，产学研协同仍是该领域延续摩尔定律的基本范式。 （来源：AZoM）