二维CrSi2N4单层材料研究:应变调控可显著提升析氢催化性能
研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现,二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下,析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV,同时该材料还展现出优异的热电性能(3.5 mW/mK2功率因子)和光电特性。
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研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现,二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下,析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV,同时该材料还展现出优异的热电性能(3.5 mW/mK2功率因子)和光电特性。