应变调控

二维CrSi2N4单层材料研究：应变调控可显著提升析氢催化性能

研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现，二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下，析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV，同时该材料还展现出优异的热电性能（3.5 mW/mK2功率因子）和光电特性。

B910化工 5月15日 17:48 449