预退火金胶体催化剂助力无序III-V族纳米线密度提升十倍,光电化学应用再进一步
德国研究团队在arXiv发表论文(2608.19805,8月20日提交),将预退火生长概念从图形化催化剂阵列迁移至随机沉积的金胶体颗粒,抑制热诱导聚结、稳定催化剂分布,使无序III-V族半导体纳米线密度提升至十倍且均匀性与垂直产率同步改善,为无需光刻的低成本可扩展光电与光电化学器件提供了路径。
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德国研究团队在arXiv发表论文(2608.19805,8月20日提交),将预退火生长概念从图形化催化剂阵列迁移至随机沉积的金胶体颗粒,抑制热诱导聚结、稳定催化剂分布,使无序III-V族半导体纳米线密度提升至十倍且均匀性与垂直产率同步改善,为无需光刻的低成本可扩展光电与光电化学器件提供了路径。
由Giulia Tagliabue等9位研究者合作发表在arXiv的研究利用定量操作扫描光电化学显微镜首次直接证明调控光子能量可切换CO2还原产物选择性:在等离激元Au/p-GaN光阴极上,带间激发(460-560nm)选择性产CO,带内激发(640-800nm)偏向产氢。100nm以下纳米结构维持CO2还原活性,约300nm纳米盘因载流子输运损失抑制反应。该研究解决了等离激元驱动选择性效应起源的长期争论。