8月21日消息，德国研究人员8月20日向arXiv提交论文（编号2608.19805），报道了一种提升无序III-V族半导体纳米线（NW）密度的方法：将此前建立的预退火（pre-anneal）生长概念从图形化催化剂阵列迁移到随机沉积的金胶体颗粒上，显著抑制热诱导的催化剂聚结。

III-V族半导体纳米线是光电子与光电化学应用的理想平台，器件性能高度依赖纳米线密度与空间排布。有序阵列虽可精确控制，但制备需要复杂昂贵的光刻技术；无序生长可扩展性更好，却受限于催化剂分布控制不足与颗粒团聚。该研究由Ilmenau工业大学等机构团队完成（作者包括Chris Yannic Bohlemann、Thomas Hannappel、Juliane Koch等），采用商用金胶体溶液作催化剂，通过气-液-固（VLS）模式生长纳米线。

研究发现，重复沉积循环可使颗粒密度近乎线性增长，但最终受限于简单随机模型无法捕捉的非线性团聚效应。通过引入预退火处理——在随机沉积的金胶体上先执行退火步骤再生长——团队成功抑制了热诱导共聚，稳定了催化剂分布，使纳米线密度最多提升十倍，同时改善了均匀性与垂直产率。该方法与商用胶体溶液和标准工艺兼容，规避了光刻环节，为可扩展、低成本地制备高密度无序纳米线阵列及其光电、光电化学器件（如纳米线光伏、光电极分解水制氢）提供了新路径。论文强调，密度与均匀性的协同提升，是把无序纳米线从实验室推向器件应用的关键一步。 （来源：arXiv）