8月19日消息,三菱化学宣布决定商业化面向尖端半导体的超高纯胶体二氧化硅(硅溶胶),并在北九州市的九州工厂(福冈地区)新建生产设施,计划2028年10月开始商业运营

胶体二氧化硅是硅晶圆表面抛光剂以及晶圆互连层化学机械抛光(CMP)浆料的关键原料。在抛光晶圆布线层时,需要同时实现高材料去除率、纳米级表面平坦化、无杂质并尽量减少划伤,且硅溶胶颗粒的形状与物理性质需根据被抛光材料灵活调整——这正是不锈钢、钛等金属难以替代、高纯度要求极高的环节。

三菱化学此次商业化的超高纯硅溶胶采用超高纯原料四甲氧基硅烷,通过一体化工艺最大限度降低杂质含量;凭借多年积累的技术,粒径、密度等参数可按客户需求定制。

半导体市场尤其是生成式AI、数据中心等尖端领域预计将持续增长。三菱化学在经营愿景"KAITEKI Vision 35"中将"实现先进数据处理与通信"列为重点业务方向,计划借此为全球尖端半导体制造供应关键材料,强化支撑半导体进步的材料供应链。

背景层:CMP浆料是先进制程(多层布线、大马士革工艺)的核心耗材之一,全球市场长期由美国的Fujimi、Cabot Microelectronics(现cmc materials)及日本厂商主导。随着AI芯片堆叠层数与布线密度提升,对超高纯、低缺陷硅溶胶的需求水涨船高。三菱化学依托日本国内四甲氧基硅烷原料与九州工厂一体化生产,属于典型的高壁垒功能材料扩产布局;此举也与其此前扩充高纯度氧化铝产品组合、加速进军尖端半导体市场的动作一脉相承。 (来源:Mitsubishi Chemical Group)