三菱化学将建超高纯胶体硅新厂,瞄准半导体抛光材料,2028年10月投产
三菱化学宣布将在日本北九州基地建设超高纯胶体硅生产装置,用作半导体抛光液原料。公司采用超高纯四甲氧基硅烷一体化工艺生产该材料,商业运营计划于2028年10月开始。胶体硅是硅片表面抛光和互连层CMP抛光液的关键原料,可实现高材料去除率与纳米级平坦化的兼顾。
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三菱化学宣布将在日本北九州基地建设超高纯胶体硅生产装置,用作半导体抛光液原料。公司采用超高纯四甲氧基硅烷一体化工艺生产该材料,商业运营计划于2028年10月开始。胶体硅是硅片表面抛光和互连层CMP抛光液的关键原料,可实现高材料去除率与纳米级平坦化的兼顾。
三菱化学8月20日宣布将商业化生产用于尖端半导体抛光材料的超高纯胶体二氧化硅,计划在福冈县北九州市九州工厂新建生产装置并启动商业化运营。产品以超高纯四甲氧基硅烷为原料经一体化工艺生产,杂质含量极低,将供应硅晶圆表面抛光与布线层CMP浆料市场。
三菱化学8月19日宣布,决定商业化面向尖端半导体的超高纯胶体二氧化硅(硅溶胶),用作硅晶圆抛光剂和CMP浆料原料。公司将在北九州市九州工厂福冈地区新建生产设施,2028年10月开始商业运营。产品以四甲氧基硅烷为原料一体化生产,可按客户需求定制粒径与密度,瞄准生成式AI和数据中心驱动的先进半导体材料需求。