9月12日消息，英国初创HexSeed Technology完成逾60万英镑（约81万美元）早期融资，用于开发将捕集二氧化碳转化为合成金刚石涂层、服务半导体器件散热的技术。本轮由气候科技孵化器Carbon13领投，Net Zero Technology Centre与Vento Ventures参投，并解锁了英国创新署（Innovate UK）今年早些时候原则上批准的合作伙伴资助金。

技术路线上，HexSeed正开发超薄合成金刚石涂层，用于管理数据中心供电转换中氮化镓（GaN）功率器件的散热。随着AI与云计算扩张，数据中心用电需求快速攀升，供电电子设备的散热成为关键瓶颈：GaN晶体管虽可在高功率密度下运行、效率优于传统硅器件，但其发热管理仍是主要制约。金刚石是已知导热效率最高的材料之一，但常规金刚石生长工艺所需温度会损坏已制成的半导体器件。HexSeed与布里斯托大学研究人员合作，开发低温微波等离子体工艺，可在不损伤成品GaN器件的情况下直接在其表面生长超薄金刚石涂层，将热量从有源区导出，提升器件效率与可靠性。

该路线的更大图景是碳捕集与利用（CCU）：以CO₂衍生原料制备高价值金刚石材料，让“负碳”原料进入半导体供应链。新资金将用于在商用GaN功率器件上演示涂层工艺，并推进试点客户合作，首个目标市场为数据中心供电转换硬件。公司联合创始人Mark Tandy表示：“未来十年内数据中心将消耗英国电网相当大比例的电力，其中很大一部分能量在供电转换中以热量损失——这笔资金将支持我们把低温金刚石涂层技术从实验室演示推进到可工作的GaN器件。”

同日，另一家英国芯片初创SCI Semiconductor亦获500万英镑融资加速存储安全芯片量产，显示英国半导体材料生态在功率电子与安全芯片两条线上的资本活跃度。 （来源：Gasworld）