9月17日消息，日本功能化学品巨头Resonac（原昭和电工）宣布，已成功生长并加工出直径300mm（12英寸）的碳化硅（SiC）单晶基板，这是目前全球开发中的最大尺寸SiC基板之一，标志着SiC基板与外延片向大直径、高品质化演进的重要技术里程碑。

SiC因其低于传统硅基功率器件的电力转换损耗和更低的发热量，被视作下一代功率半导体核心材料，需求在电动汽车（EV）和可再生能源领域持续扩张，并在数据中心电源等高效率场景加速渗透。Resonac目前主要供应市场主流的150mm（6英寸）SiC外延片，同时已开始出货200mm（8英寸）SiC外延片，此次300mm单晶的突破进一步延伸了大尺寸化路线。

除功率半导体外，单晶SiC材料因高导热性，正被关注用作AI服务器和高性能计算（HPC）半导体的散热基板与先进封装基板；其高折射率特性也使其成为AR智能眼镜等光学应用的候选材料。

此次成果依托Resonac在SiC单晶生长和基板加工方面的长期积累，以及日本NEDO绿色创新基金（GI Fund）「下一代绿色功率半导体用SiC晶圆技术开发」项目的研发成果。Resonac表示将继续推进SiC单晶基板和外延片的大直径化与高品质化，通过提供高性能、高可靠性的SiC材料，助力功率电子市场演进。

行业背景方面，SiC衬底正从6英寸向8英寸过渡，Wolfspeed、Coherent（原II-VI）、Soitec等国际厂商均在竞逐更大尺寸以摊薄单位成本；Resonac此前已与法国Soitec就200mm SmartSiC键合衬底达成联合开发协议。12英寸SiC单晶因晶体生长难度极高（生长温度超2200℃、缺陷控制要求苛刻），全球公开报道实现该尺寸的厂商极少，此次突破为Resonac在下一代功率半导体和AI散热材料市场卡位提供了技术筹码。 （来源：Resonac）