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台积电与阳明交大突破2D晶体管界面难题:0.42纳米缓冲层实现等效1纳米绝缘层

发表于Nature Electronics的研究中,阳明交大与台积电团队在原子级薄二硫化钼表面沉积0.3纳米铝层并氧化为约0.42纳米氧化铝缓冲层,解决了2D半导体无悬挂键表面难以均匀沉积绝缘体的难题,制成绝缘层等效约1纳米二氧化硅的MoS2晶体管,兼具低漏电、高迁移率与栅控能力,为2D半导体走向先进制程提供界面工程路径。

B910化工 9月12日 12:18 78