硼-氢-磷三元素共掺杂突破金刚石N型半导体长期难题
研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。
金刚石半导体
共 1 篇 · B910 化工资讯聚合
共 1 篇 · B910 化工资讯聚合
研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。
