硼-氢-磷三元素共掺杂突破金刚石N型半导体长期难题
研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。
N型掺杂
共 1 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
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研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。
