六方氮化硼

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单层氮化硼/金属界面的"皱纹"调控光激发电子动力学

8月20日发布于arXiv的研究通过理论与计算揭示:单层六方氮化硼(h-BN)与金属衬底之间的界面起伏(corrugation)能够调控光激发电子在界面处的转移与弛豫动力学。 h-BN作为二维绝缘体是范德华异质结的关键衬底与隧穿层,该工作把"界面几何起伏"确立为界面电子动力学的可设计自由度。

B910化工 8月22日 12:37 123

中国科大团队基于单离子传输实现20皮秒非易失性存储器

中国科学技术大学研究团队提出基于单离子传输机制的新型存储器方案,利用单层六方氮化硼中的单原子空位缺陷实现电阻开关。实验制备的单离子存储器件实现20皮秒的超快开关速度和310阿焦耳每比特的超低能耗,有望实现业界长期追求的兼具速度、密度和非易失性的统一存储器。

B910化工 4月27日 19:02 459