研究团队开发两步CVD法合成Ir(111)/硼烯/六方氮化硼垂直异质结构
德国研究团队利用硼烷单一前驱体,通过两步超高真空化学气相沉积法,在Ir(111)基底上成功合成硼烯与六方氮化硼的垂直异质结构,晶粒达微米级,为二维材料规模化制备提供新路径。
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德国研究团队利用硼烷单一前驱体,通过两步超高真空化学气相沉积法,在Ir(111)基底上成功合成硼烯与六方氮化硼的垂直异质结构,晶粒达微米级,为二维材料规模化制备提供新路径。
研究通过有限元模拟和交叉光栅波前显微镜实验定量表征了六方氮化硼(hBN)薄膜对金纳米球等离激元加热的冷却效果。结果显示hBN可使温升降低最多60%,且存在两条热耗散路径:纳米粒子直接向hBN传导和水通过间接路径向hBN传热。薄层受限于热容量,厚层受限于界面热导。
中国科学技术大学研究团队提出基于单离子传输机制的新型存储器方案,利用单层六方氮化硼中的单原子空位缺陷实现电阻开关。实验制备的单离子存储器件实现20皮秒的超快开关速度和310阿焦耳每比特的超低能耗,有望实现业界长期追求的兼具速度、密度和非易失性的统一存储器。