8月21日消息，三菱化学（Mitsubishi Chemical Corporation）宣布将推进先进半导体抛光用超 高纯胶体二氧化硅（ultra-high-purity colloidal silica）的商业化，强化其在尖端半导体材料市场的地位。公司将在福冈县北九州市的九州工厂建设新生产设施，商业运营定于2028年10月开始。
该材料将用作硅晶圆抛光剂的原料，以及硅晶圆互连层化学机械抛光（CMP）抛光液的原料。随着半导体制造向更小、更复杂的结构推进，抛光工艺必须在实现纳米级表面平坦度的同时保持高材料去除速率，并控制杂质、 minimizing划痕——这对抛光用二氧化硅颗粒的形状和物理特性提出了严苛要求。
三菱化学表示，新产品将通过使用超 高纯四甲氧基硅烷（TMOS）的一体化工艺制造，以最大限度降低杂质含量；同时依托长期积累的技术诀窍，按客户要求定制粒径和密度等关键特性。
公司指出，生成式AI和数据中心的快速增长正带动先进半导体需求加速，供应短缺风险下材料本土化诉求强烈。在管理层愿景KAITEKI Vision 35中，三菱化学已将"赋能先进数据处理与通信"列为重点业务方向，新材料业务将为该战略供应关键材料。
胶体二氧化硅是CMP抛光液的核心磨料，全球市场长期由少数日美厂商主导。三菱化学将商业投产定在2028年，瞄准的是AI芯片制造对高端抛光材料需求放量的窗口期，与同日公告扩产超高纯胶体二氧化硅的三菱化学集团（Mitsubishi Chemical Group）形成材料组合拳——后者还计划建立新的商业化生产设施。
（来源：Indian Chemical News）