日本尤尼吉可量产半导体封装基板用低介电双马来酰亚胺树脂，全球约30件专利布局，2030年瞄准10亿日元销售额
韩国化工媒体ChemLOCUS 11月9日报道，日本尤尼吉可（Unitika）开发出面向半导体封装基板的低介电双马来酰亚胺（BMI）树脂，已建立量产体制并在全球完成约30件专利申请，应用将从先进封装基板扩展至电气电子领域，2030年全球销售额目标10亿日元。在先进封装基板材料低介电化竞争加剧的背景下，日本厂商正以量产先行的姿态卡位高端基板树脂市场。
先进封装
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JX金属扩产高纯硫酸铜Yupinog：产能提升约50%，瞄准HBM与先进封装铜电镀需求
JX金属11月5日宣布在茨城事业所（日立地区）增设高纯硫酸铜Yupinog产线，产能较2026年度上半年提高约50%，新设备2027年度下半年起陆续投运，直接对接生成式AI先进半导体、先进封装及HBM用铜电镀材料的快速增长需求。
住友电木完成承接京瓷化学业务：新公司“住友电木化学方案”10月30日启动运营
住友电木10月30日宣布，通过吸收分立方式承接京瓷部分化学业务的新公司以2亿日元资本成立并开始运营，定名住友电木化学方案公司，业务涵盖半导体封装环氧塑封料、半导体接合浆料及工业树脂。叠加10月初公布的苏州、新加坡扩产计划，公司正强化AI芯片封装材料全球供应体系。
汉高韩国松岛工厂探营：AI芯片背后的半导体胶粘剂基地，年产能最高250吨
据韩国先驱报探访，德国化工巨头汉高在仁川松岛的半导体胶粘剂工厂投资约3500万欧元、2022年建成，年产能最高250吨，是其的在韩最大单项投资；为贴近三星、SK海力士等客户，汉高还计划2027年3月在首尔加山扩建技术中心，加码AI芯片先进封装材料。
东京应化与AIMECHATEC合资设立Zero Newton Solutions，攻关半导体先进封装3D集成
光刻胶龙头东京应化（TOK）宣布与持股17.56%的半导体设备商AIMECHATEC设立合资公司Zero Newton Solutions，TOK持股51%，10月31日成立，将融合材料与设备技术开发三维集成及面板级封装整体解决方案并提供现场工程服务。
日本TOK与AIMECHATEC设立合资公司，联手攻坚先进半导体封装三维集成技术
东京应化（TOK）10月20日宣布与持股17.56%的设备厂商AIMECHATEC设立合资公司Zero Newton Solutions，TOK出资51%，定于10月31日成立，资本金1.5亿日元。合资公司将整合TOK材料技术与对方设备技术，开发材料+设备+工艺一体化方案，加速面板级封装（PLP）等下一代先进封装技术开发，先进封装材料-设备协同开发模式再添一例。
默克EMD Electronics调查：先进封装材料成半导体技术路线图最关键环节，高纯化学品与ALD前驱体紧随其后
EMD Electronics（默克集团北美电子业务）10月15日在Semicon West发布200人行业调查：Gartner预测2026年全球半导体收入1.6万亿美元、同比增92%；75%受访者称熟练劳动力是本土投资最大障碍，59%认为先进封装材料对公司技术路线图最关键，超高纯化学品溶剂（42%）与ALD前驱体（39%）位列其后，凸显电子材料供应的战略权重。
富士胶片1800万美元扩建亚利桑那CMP浆料产能：铜互连浆料瞄准AI芯片与先进封装需求
富士胶片宣布投资1800万美元扩建美国亚利桑那州梅萨基地的铜互连CMP抛光浆料产能，并新建覆盖前段、中段与先进封装应用的多产品生产线，新设施2027年投运，直接受益于AI驱动的先进逻辑与存储芯片扩产潮。
三星12层HBM4E通过英伟达及超大规模客户认证：下一代AI存储竞速再下一城
据KED Global 10月8日报道，三星电子已通过下一代12层HBM4E芯片在英伟达及主要全球超大规模云厂商处的客户认证测试，在与SK海力士、美光的下一代AI存储竞争中清除关键障碍；HBM4E为三星HBM路线图中HBM4之后的迭代产品。
泰国发布首个国家半导体战略：2050年前累计投资800亿美元建完整芯片供应链
泰国批准首个国家半导体战略，目标2050年累计投资约800亿美元、年产值1500亿美元、新增23万就业；分三阶段推进，优先光子学、功率半导体与传感器三大平台，功率半导体瞄准电动车、储能与电网需求。
韩国基板厂商备战后CoWoS时代：三星电机与LG Innotek卡位EMIB与玻璃基板
TrendForce预计台积电CoWoS-L封装至少到2028年仍是AI芯片主流，但韩国三星电机与LG Innotek已开始布局下一代方案：三星电机开发2.1D/2.5D封装基板并准备玻璃基板技术，LG Innotek扩产AI服务器FC-BGA，双方还跟踪英特尔EMIB硅桥路线，为多技术共存的市场格局预留筹码。
2nm芯片竞赛转向散热封装：苹果WMCM与三星铜热径HPB各出奇招
随着苹果iPhone 18 Pro搭载台积电N2工艺A20 Pro、三星Galaxy S26搭载2nm GAA工艺Exynos 2600，移动芯片竞争重心转向后端散热封装：苹果改用台积电WMCM封装将AP与DRAM并排布置，持续性能提升40%；三星首次在移动SoC引入铜制HPB热径并用高k EMC，封装内热阻降低16%。
三星电机与LG伊诺特同台KPCA SHOW 2026，争夺AI加速器封装基板市场
在9月9日至11日仁川松岛举行的国际半导体基板与先进封装展KPCA SHOW 2026上，三星电机与LG伊诺特同场展示面向AI加速器的高性能基板：三星电机展出2.5D/2.1D封装基板、玻璃基板等五大类，玻璃基板瞄准2028年量产；LG伊诺特首次公开边长超100毫米的AI加速器FC-BGA，目标明年量产。
SKC向美国玻璃基板子公司Absolics增资2810亿韩元，推进佐治亚工厂客户认证
SKC于9月4日宣布向美国半导体玻璃基板子公司Absolics出资2810亿韩元（约2.08亿美元）参与其有偿增资。Absolics本轮增资总规模4011亿韩元，Applied Materials等其他股东将出资1201亿韩元。Absolics已在佐治亚州建成玻璃基板工厂，正处于嵌入式玻璃基板的客户质量认证阶段，2026-2028年计划总投资5896亿韩元。
SK海力士印第安纳先进封装厂动工：美国本土HBM制造开先河，2029年三季度量产
SK海力士8月27日在美国普渡大学正式动工建设印第安纳先进芯片封装基地，将生产美国本土制造的首批高带宽内存（HBM）。工厂预计2028年10月完成洁净室建设、2029年第三季度量产，将韩国产DRAM晶圆在美封装为HBM，年处理能力达数十万片，并已与普渡大学签署下一代HBM研发合作备忘录。
三菱化学商业化负热膨胀填料M-Filleris NTE，破解AI芯片封装翘曲难题
三菱化学8月27日宣布商业化新型负热膨胀填料M-Filleris NTE，该材料受热收缩，可在环氧树脂复配时显著降低热膨胀，抑制先进封装下半导体的翘曲。2026财年末开始样品销售，2027财年下半年量产上市。材料在室温至400°C保持负膨胀特性，球形颗粒兼具流动性与分散性，将亮相SEMICON Taiwan 2026。