泰国发布首个国家半导体战略：2050年前累计投资800亿美元建完整芯片供应链
泰国批准首个国家半导体战略，目标2050年累计投资约800亿美元、年产值1500亿美元、新增23万就业；分三阶段推进，优先光子学、功率半导体与传感器三大平台，功率半导体瞄准电动车、储能与电网需求。
先进封装
共 11 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
韩国基板厂商备战后CoWoS时代：三星电机与LG Innotek卡位EMIB与玻璃基板
TrendForce预计台积电CoWoS-L封装至少到2028年仍是AI芯片主流，但韩国三星电机与LG Innotek已开始布局下一代方案：三星电机开发2.1D/2.5D封装基板并准备玻璃基板技术，LG Innotek扩产AI服务器FC-BGA，双方还跟踪英特尔EMIB硅桥路线，为多技术共存的市场格局预留筹码。
2nm芯片竞赛转向散热封装：苹果WMCM与三星铜热径HPB各出奇招
随着苹果iPhone 18 Pro搭载台积电N2工艺A20 Pro、三星Galaxy S26搭载2nm GAA工艺Exynos 2600，移动芯片竞争重心转向后端散热封装：苹果改用台积电WMCM封装将AP与DRAM并排布置，持续性能提升40%；三星首次在移动SoC引入铜制HPB热径并用高k EMC，封装内热阻降低16%。
三星电机与LG伊诺特同台KPCA SHOW 2026，争夺AI加速器封装基板市场
在9月9日至11日仁川松岛举行的国际半导体基板与先进封装展KPCA SHOW 2026上，三星电机与LG伊诺特同场展示面向AI加速器的高性能基板：三星电机展出2.5D/2.1D封装基板、玻璃基板等五大类，玻璃基板瞄准2028年量产；LG伊诺特首次公开边长超100毫米的AI加速器FC-BGA，目标明年量产。
SKC向美国玻璃基板子公司Absolics增资2810亿韩元，推进佐治亚工厂客户认证
SKC于9月4日宣布向美国半导体玻璃基板子公司Absolics出资2810亿韩元（约2.08亿美元）参与其有偿增资。Absolics本轮增资总规模4011亿韩元，Applied Materials等其他股东将出资1201亿韩元。Absolics已在佐治亚州建成玻璃基板工厂，正处于嵌入式玻璃基板的客户质量认证阶段，2026-2028年计划总投资5896亿韩元。
SK海力士印第安纳先进封装厂动工：美国本土HBM制造开先河，2029年三季度量产
SK海力士8月27日在美国普渡大学正式动工建设印第安纳先进芯片封装基地，将生产美国本土制造的首批高带宽内存（HBM）。工厂预计2028年10月完成洁净室建设、2029年第三季度量产，将韩国产DRAM晶圆在美封装为HBM，年处理能力达数十万片，并已与普渡大学签署下一代HBM研发合作备忘录。
三菱化学商业化负热膨胀填料M-Filleris NTE，破解AI芯片封装翘曲难题
三菱化学8月27日宣布商业化新型负热膨胀填料M-Filleris NTE，该材料受热收缩，可在环氧树脂复配时显著降低热膨胀，抑制先进封装下半导体的翘曲。2026财年末开始样品销售，2027财年下半年量产上市。材料在室温至400°C保持负膨胀特性，球形颗粒兼具流动性与分散性，将亮相SEMICON Taiwan 2026。
LG化学将亮相SEMICON Taiwan 2026，展出AI半导体先进封装与功率半导体材料全线方案
LG化学8月26日宣布将参加9月2日至4日在台北南港展览馆举行的SEMICON Taiwan 2026，设先进封装与功率封装两大展区，展出铜箔基板（CCL）、玻璃核心基板、增层膜、干膜阻焊剂、银/铜导电烧结浆料、铜金属泡沫散热方案等面向HBM与AI半导体的材料组合，并计划借展扩大与晶圆厂、OSAT及基板封装厂商的合作，加速半导体材料业务增长。这是该公司继7月向安靠大规模供应剥离液后，在半导体材料领域的又一次高调出击。
三菱化学将量产超 高纯胶体二氧化硅，2028年10月投产瞄准先进半导体抛光
三菱化学宣布商业化先进半导体抛光用超 高纯胶体二氧化硅，将在福冈县北九州市九州工厂建设新生产设施，2028年10月开始商业运营，产品用于硅晶圆抛光剂和CMP抛光液原料，以一体化超 高纯四甲氧基硅烷工艺最大限度降低杂质。
AGC将亮相SEMICON Taiwan 2026：玻璃载板、TGV、CMP浆料等半导体材料全线出击，首推含氟材料循环
AGC宣布参加2026年9月在台湾举行的SEMICON Taiwan展会（主题Transform Tomorrow，预计1300+展商、4300+展位），将集中展示先进封装用玻璃载板（Glass Carriers）、玻璃通孔（TGV）、薄膜、树脂、耐等离子涂层、CMP浆料等全线半导体制造材料，并重点介绍含氟材料回收举措，呼应其"Chemistry for a Blue Planet"化学生态愿景。
HBM需求爆发挤压通用DRAM和NAND产能，存储市场结构性分化加剧
韩国券商分析指出，2027年HBM需求将达534亿Gb同比增长56%，供给增速仅50%维持供不应求。7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元，但通用DRAM和NAND面临产能转移压力。