9月21日消息，据AZoM报道，一项发表在Nature上的研究聚焦二维（2D）半导体这类仅单原子层厚、具有异常电子态的超薄材料，开发出揭示其电子行为的新成像方法。研究由劳伦斯伯克利实验室材料科学部高级科学家、UC Berkeley物理学教授Mike Crommie与伯克利实验室Faculty Senior Scientist、UC Berkeley物理系教授Feng Wang团队合作，参与机构还包括加州大学、Flatiron研究所、新墨西哥大学、霍夫斯特拉大学、亚利桑那州立大学及日本物质材料研究机构（NIMS）。

"我们的研究为理解二维半导体中电子的行为提供了宝贵洞见，"Crommie表示，"我们的方法为发现前所未有的电子行为打开了大门，这些行为可用于新的半导体能力——这对在极限微缩下开发半导体器件十分重要。"

传统硅基半导体器件（晶体管、芯片、传感器）基于原子三维排列的材料；近年来器件开发者越来越多地探索仅由单层原子构成的二维半导体，以在摩尔定律逼近物理极限时延续微缩路径。二维材料中电子态与三维材料差异显著，直接成像并理解这些态是器件设计的前提。该研究提供的成像手段，使研究者能够直接观测二维半导体中的电子行为，为后摩尔时代的2D半导体器件工程提供了关键表征工具。 （来源：AZoM）