日本触媒LiFSI新工厂计划变更:投资额增至430亿日元,投产推迟至2028年12月
日本触媒8月27日公告,北九州LiFSI(IONEL)电解质新工厂因土地取得推迟及铜等原材料涨价、日元贬值推升建设成本,投资额由375亿日元上调至约430亿日元,投产时间由2028年7月推迟至2028年12月。产能维持3000吨/年不变,经产省最高125亿日元补贴也不变,对2026财年业绩影响轻微。
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日本触媒8月27日公告,北九州LiFSI(IONEL)电解质新工厂因土地取得推迟及铜等原材料涨价、日元贬值推升建设成本,投资额由375亿日元上调至约430亿日元,投产时间由2028年7月推迟至2028年12月。产能维持3000吨/年不变,经产省最高125亿日元补贴也不变,对2026财年业绩影响轻微。
三菱化学宣布将在日本北九州基地建设超高纯胶体硅生产装置,用作半导体抛光液原料。公司采用超高纯四甲氧基硅烷一体化工艺生产该材料,商业运营计划于2028年10月开始。胶体硅是硅片表面抛光和互连层CMP抛光液的关键原料,可实现高材料去除率与纳米级平坦化的兼顾。
三菱化学8月20日宣布将商业化生产用于尖端半导体抛光材料的超高纯胶体二氧化硅,计划在福冈县北九州市九州工厂新建生产装置并启动商业化运营。产品以超高纯四甲氧基硅烷为原料经一体化工艺生产,杂质含量极低,将供应硅晶圆表面抛光与布线层CMP浆料市场。