8月24日消息，三菱化学宣布将在其日本北九州（Kitakyushu）基地新建超高纯胶体硅（colloidal silica）生产装置，作为半导体抛光剂的原料，商业运营计划于2028年10月启动。

三菱化学通过超高纯四甲氧基硅烷（tetramethoxysilane）的一体化工艺生产该材料。胶体硅是硅片表面抛光剂以及互连层化学机械抛光（CMP）浆料的关键原料——它能在纳米级平坦化衬底表面的同时实现较高的材料去除率，确保杂质去除并最大限度减少晶圆布线层抛光时的划伤。随着制程节点微缩和先进封装层数增加，对抛光材料的纯度与粒径均一性要求持续提升。

在AI芯片带动先进制程与先进封装投资的背景下，CMP耗材需求随晶圆厂扩产水涨船高。三菱化学依托自有四甲氧基硅烷原料链条向上延伸至超高纯胶体硅，属于典型的"原料-电子化学品"一体化布局——与外部采购原料的厂商相比，一体化工艺对杂质控制更有保障。北九州基地是三菱化学无机与电子材料的重要据点，新装置投产后将强化其在半导体抛光材料供应链中的地位。 （来源：Speciality Chemicals Magazine）