2nm芯片竞赛转向散热封装：苹果WMCM与三星铜热径HPB各出奇招
随着苹果iPhone 18 Pro搭载台积电N2工艺A20 Pro、三星Galaxy S26搭载2nm GAA工艺Exynos 2600，移动芯片竞争重心转向后端散热封装：苹果改用台积电WMCM封装将AP与DRAM并排布置，持续性能提升40%；三星首次在移动SoC引入铜制HPB热径并用高k EMC，封装内热阻降低16%。
三星电子
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三星SK海力士在Hot Chips 2026正面交锋：PIM存储与HBM升级路线之争
8月26日消息，在斯坦福大学举行的Hot Chips 2026大会上，三星电子首次公开商用PIM产品LPDDR5X-PIM的详细规格——片内直接计算使端侧AI数据处理速度翻倍、每秒token处理量提升3倍以上，剑指HBM功耗与成本瓶颈；SK海力士则押注混合键合与iHBM先进散热，延续HBM升级路线。AI存储市场正从"训练"转向"推理+端侧AI"，两条技术路线的分野将深刻影响下一代存储格局。
美国政府援引韩国800万亿韩元"全罗半导体集群"项目，要求三星SK海力士追加在美投资
8月26日消息，美国政府以韩国推进中的800万亿韩元（约5775亿美元）全罗道半导体集群项目为由，要求韩国半导体企业扩大在美存储芯片产能投资。美国商务部长卢特尼克7月在美光活动上点名三星电子与SK海力士。韩方强调该要求与两国领导人商定的3500亿美元投资包是分开讨论的事项，业界则担忧美方诉求可能变相影响存储器价格并削弱韩企议价能力。
英伟达AI服务器涨价超15%，三星电子与SK海力士议价能力增强
彭博报道称服务器厂商已通知微软、谷歌、甲骨文等客户，2027年初起发货的英伟达AI系统价格多数将上涨超15%，涨价涵盖Vera Rubin与Grace Blackwell平台，存储芯片供应紧张是主要成本推手。三星与SK海力士合计占全球DRAM营收65%，SK海力士Q1占全球HBM营收58%，韩系存储厂商在AI供应链中的议价地位进一步强化。
三星电子将EHS热泵锅炉产线迁回韩国光州，年产能超10万台全部内销
三星电子8月24日宣布将其EHS生态供暖系统热泵锅炉生产迁回韩国，成为首家参与政府供暖电气化回岸（reshoring）项目的热泵制造商。公司在光州第二园区新建2132平方米产线，周三起试产，9月底量产，年产能超10万台且全部在韩销售；同时计划提高关键零部件与工序的国产化比例，并参与济州供暖电气化项目及下半年1418户二期工程。
三星电子公布最高110万亿韩元股东回报计划，创韩国企业史上最大规模
8月21日三星电子董事会批准2026年90万亿-110万亿韩元（约648亿-793亿美元）股东回报计划，规模创韩国企业史上之最，资金来自AI半导体超级周期带来的创纪录利润——二季度营业利润同比暴增18倍至89.5万亿韩元，全年有望达380万亿韩元。第三季度先支付约30万亿韩元现金分红，其余形式明年1月董事会敲定。分析师预计三年累计自由现金流超600万亿韩元。同日股价涨3.87%收于28.15万韩元。
三星电子投2400亿韩元在光州新建AI数据中心冷却设备产线，2028年初投产
三星电子宣布投资2400亿韩元（约1.716亿美元）在光州第三园区新建暖通空调（HVAC）产线，总建筑面积2.18万平方米，2028年初投产，将生产收购而来的欧洲HVAC龙头FlaktGroup的核心产品，包括AI数据中心液冷系统的关键部件冷却液分配单元（CDU）。这是该基地自1989年设立以来首次大规模扩产。
Nvidia因HBM供应不足考虑降低下一代AI芯片Rubin Ultra规格
市场研究机构TrendForce披露，Nvidia尚未最终确定下一代AI芯片Rubin Ultra的规格，正在讨论将HBM4E从12层降级至8层或改用12层HBM4。背后原因是DRAM产能分配有限及12层HBM4E量产良率和验证进度不确定性。
Air Products将为三星电子韩国平泽半导体新厂供应工业气体
Air Products被三星电子选中，为其位于韩国京畿道平泽的新先进半导体制造厂供应工业气体。Air Products将建设、拥有并运营多套先进生产设施，供应氮气、氧气、氩气及特种气体。