8月14日消息，韩国证券行业最新分析显示，全球存储芯片市场正进入AI驱动的高带宽存储器（HBM）繁荣与通用DRAM/NAND供应压力并存的分化新阶段。 据未来证券（Kiwoom Securities）估计，2027年HBM需求将达到534亿Gb，较前一年增长56%，同期供给增速约50%，需求超出供给的格局将持续。然而，行业指出增加晶圆投入并不能直接转化为HBM可销售产能的同比提升。堆叠良率、先进封装能力和代际转换速度是决定实际供给水平的关键变量。这意味着HBM的有效供给瓶颈不在晶圆制造端，而在后端封装和测试环节。 出口数据印证了这一分化趋势。据Hana Securities统计，7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元，其中DRAM出口增长493%，NAND出口增长303%。但环比来看，整体存储出口值下降约8%，DRAM环比增16%而NAND环比降32%，显示HBM和服务级存储的强劲表现并未均匀传导至所有存储产品类别。 长期供应协议（LTA）成为行业应对不确定性的重要工具。SK证券和Hana证券认为，客户的产能预定和预付款结构可以提高需求可见度并降低盈利波动，允许存储厂商与客户分担部分投资风险。但也有观点认为，大量LTA可能锁定未来产能分配，当需求切换时灵活性受限。 HBM主要服务于AI加速器和数据中心GPU市场，三星电子、SK海力士和美光是三大供应商。随着台积电CoWoS先进封装产能逐步释放，HBM3E和下一代HBM4的出货量预计持续攀升。对化工产业链而言，HBM的先进封装需要大量高纯度电子化学品和先进光刻材料，相关材料供应商将受益于HBM产能扩张周期。 （来源：BusinessKorea）