HBM需求爆发挤压通用DRAM和NAND产能,存储市场结构性分化加剧
韩国券商分析指出,2027年HBM需求将达534亿Gb同比增长56%,供给增速仅50%维持供不应求。7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元,但通用DRAM和NAND面临产能转移压力。
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韩国券商分析指出,2027年HBM需求将达534亿Gb同比增长56%,供给增速仅50%维持供不应求。7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元,但通用DRAM和NAND面临产能转移压力。
市场研究机构TrendForce披露,Nvidia尚未最终确定下一代AI芯片Rubin Ultra的规格,正在讨论将HBM4E从12层降级至8层或改用12层HBM4。背后原因是DRAM产能分配有限及12层HBM4E量产良率和验证进度不确定性。
法国液化空气集团(Air Liquide)宣布投资1.7亿美元在美国建设工业气体生产设施,专门为SK海力士在美国的先进半导体封装项目供应高纯度气体。该设施将与SK海力士工厂深度整合。