SK集团会长崔泰旺：SK海力士正评估日本存储器工厂选址
据彭博8月31日报道，SK集团会长崔泰旺表示SK海力士正在研究在日本建设存储器制造工厂的候选厂址，公司上周刚在印第安纳州为下一代HBM先进封装厂动工。在AI存储需求激增、全球存储短缺预计持续至2028年的背景下，SK海力士海外产能布局明显提速，此前其董事会已批准54.3万亿韩元在龙仁新建两座存储晶圆厂。
HBM
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SK海力士印第安纳先进封装厂动工：美国本土HBM制造开先河，2029年三季度量产
SK海力士8月27日在美国普渡大学正式动工建设印第安纳先进芯片封装基地，将生产美国本土制造的首批高带宽内存（HBM）。工厂预计2028年10月完成洁净室建设、2029年第三季度量产，将韩国产DRAM晶圆在美封装为HBM，年处理能力达数十万片，并已与普渡大学签署下一代HBM研发合作备忘录。
LG化学将亮相SEMICON Taiwan 2026，展出AI半导体先进封装与功率半导体材料全线方案
LG化学8月26日宣布将参加9月2日至4日在台北南港展览馆举行的SEMICON Taiwan 2026，设先进封装与功率封装两大展区，展出铜箔基板（CCL）、玻璃核心基板、增层膜、干膜阻焊剂、银/铜导电烧结浆料、铜金属泡沫散热方案等面向HBM与AI半导体的材料组合，并计划借展扩大与晶圆厂、OSAT及基板封装厂商的合作，加速半导体材料业务增长。这是该公司继7月向安靠大规模供应剥离液后，在半导体材料领域的又一次高调出击。
三星SK海力士在Hot Chips 2026正面交锋：PIM存储与HBM升级路线之争
8月26日消息，在斯坦福大学举行的Hot Chips 2026大会上，三星电子首次公开商用PIM产品LPDDR5X-PIM的详细规格——片内直接计算使端侧AI数据处理速度翻倍、每秒token处理量提升3倍以上，剑指HBM功耗与成本瓶颈；SK海力士则押注混合键合与iHBM先进散热，延续HBM升级路线。AI存储市场正从"训练"转向"推理+端侧AI"，两条技术路线的分野将深刻影响下一代存储格局。
英伟达AI服务器涨价超15%，三星电子与SK海力士议价能力增强
彭博报道称服务器厂商已通知微软、谷歌、甲骨文等客户，2027年初起发货的英伟达AI系统价格多数将上涨超15%，涨价涵盖Vera Rubin与Grace Blackwell平台，存储芯片供应紧张是主要成本推手。三星与SK海力士合计占全球DRAM营收65%，SK海力士Q1占全球HBM营收58%，韩系存储厂商在AI供应链中的议价地位进一步强化。
SK海力士考虑在日本宫城县建设首座韩国厂商存储芯片厂，HBM海外布局浮现
BusinessKorea 8月24日报道，SK海力士正评估在日本东北部宫城县建设海外存储芯片工厂，若成行将是韩国半导体企业在日首个大规模存储制造基地，SK海力士也将成为继台积电、美光之后第三家在日设厂的外商。公司拟将HBM产能与日本材料零部件设备生态深度绑定，同时强调龙仁、湖南集群等韩国国内投资不受影响，韩国交易所问询后回应称尚未最终决定。
SK海力士考虑在日本新建存储芯片工厂，以强化HBM全球领先地位
据韩国《经济日报》英文版KED Global 8月23日报道，全球HBM（高带宽存储器）龙头SK海力士正考虑在日本新建一座存储芯片工厂。此举一方面旨在缓解全球存储芯片供应短缺，另一方面也将使SK海力士的生产布局首次延伸至韩国本土之外，分散地缘与供应链风险。此前SK集团会长崔泰源已多次公开表示，AI存储需求增速已超出行业产能扩充速度，并考虑在美国设厂。
SK海力士启动40万亿韩元股票回购注销 称为韩国上市公司史上最大规模
SK海力士8月19日宣布将回购并注销40万亿韩元（约280亿美元）自家股票，回购自8月20日启动、为期约三个月，覆盖约2407万股（占已发行股份3.3%），为韩国上市公司史上最大规模注销式回购。公司同时将2025-2027年股东回报目标从累计自由现金流的50%以内上调至50%以上，Q2末净现金约69万亿韩元，并预告三季度业绩发布时追加回报措施。
HBM需求爆发挤压通用DRAM和NAND产能，存储市场结构性分化加剧
韩国券商分析指出，2027年HBM需求将达534亿Gb同比增长56%，供给增速仅50%维持供不应求。7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元，但通用DRAM和NAND面临产能转移压力。
Netlist与三星签署五年战略联盟：专利交叉授权与高带宽存储技术合作
Netlist与三星签署五年战略协议，包括专利组合交叉授权、存储产品供应和技术合作。三星将获得Netlist服务器DIMM和高带宽存储（HBM）技术专利组合使用权，并将购买Netlist 1000万股普通股，双方和解所有未决诉讼。
Nvidia因HBM供应不足考虑降低下一代AI芯片Rubin Ultra规格
市场研究机构TrendForce披露，Nvidia尚未最终确定下一代AI芯片Rubin Ultra的规格，正在讨论将HBM4E从12层降级至8层或改用12层HBM4。背后原因是DRAM产能分配有限及12层HBM4E量产良率和验证进度不确定性。
Air Liquide投资1.7亿美元在印第安纳建设超高纯气体工厂，为SK hynix美国晶圆厂供货
法国工业气体巨头Air Liquide宣布投资逾1.7亿美元，在印第安纳州建设两座新生产装置，向SK hynix首座美国半导体晶圆厂供应超高纯气体。该项目瞄准AI驱动的高带宽存储芯片需求爆发，标志着电子化学品供应链向美国本土加速回流。