SK海力士考虑在日本宫城县建设首座韩国厂商存储芯片厂，HBM海外布局浮现
BusinessKorea 8月24日报道，SK海力士正评估在日本东北部宫城县建设海外存储芯片工厂，若成行将是韩国半导体企业在日首个大规模存储制造基地，SK海力士也将成为继台积电、美光之后第三家在日设厂的外商。公司拟将HBM产能与日本材料零部件设备生态深度绑定，同时强调龙仁、湖南集群等韩国国内投资不受影响，韩国交易所问询后回应称尚未最终决定。
HBM
共 7 篇 · B910 化工资讯聚合
SK海力士考虑在日本新建存储芯片工厂，以强化HBM全球领先地位
据韩国《经济日报》英文版KED Global 8月23日报道，全球HBM（高带宽存储器）龙头SK海力士正考虑在日本新建一座存储芯片工厂。此举一方面旨在缓解全球存储芯片供应短缺，另一方面也将使SK海力士的生产布局首次延伸至韩国本土之外，分散地缘与供应链风险。此前SK集团会长崔泰源已多次公开表示，AI存储需求增速已超出行业产能扩充速度，并考虑在美国设厂。
SK海力士启动40万亿韩元股票回购注销 称为韩国上市公司史上最大规模
SK海力士8月19日宣布将回购并注销40万亿韩元（约280亿美元）自家股票，回购自8月20日启动、为期约三个月，覆盖约2407万股（占已发行股份3.3%），为韩国上市公司史上最大规模注销式回购。公司同时将2025-2027年股东回报目标从累计自由现金流的50%以内上调至50%以上，Q2末净现金约69万亿韩元，并预告三季度业绩发布时追加回报措施。
HBM需求爆发挤压通用DRAM和NAND产能，存储市场结构性分化加剧
韩国券商分析指出，2027年HBM需求将达534亿Gb同比增长56%，供给增速仅50%维持供不应求。7月韩国存储芯片日均出口额同比飙升287%至12.7亿美元，但通用DRAM和NAND面临产能转移压力。
Netlist与三星签署五年战略联盟：专利交叉授权与高带宽存储技术合作
Netlist与三星签署五年战略协议，包括专利组合交叉授权、存储产品供应和技术合作。三星将获得Netlist服务器DIMM和高带宽存储（HBM）技术专利组合使用权，并将购买Netlist 1000万股普通股，双方和解所有未决诉讼。
Nvidia因HBM供应不足考虑降低下一代AI芯片Rubin Ultra规格
市场研究机构TrendForce披露，Nvidia尚未最终确定下一代AI芯片Rubin Ultra的规格，正在讨论将HBM4E从12层降级至8层或改用12层HBM4。背后原因是DRAM产能分配有限及12层HBM4E量产良率和验证进度不确定性。
Air Liquide投资1.7亿美元在印第安纳建设超高纯气体工厂，为SK hynix美国晶圆厂供货
法国工业气体巨头Air Liquide宣布投资逾1.7亿美元，在印第安纳州建设两座新生产装置，向SK hynix首座美国半导体晶圆厂供应超高纯气体。该项目瞄准AI驱动的高带宽存储芯片需求爆发，标志着电子化学品供应链向美国本土加速回流。